160 天然优势，背靠祖国[第3页/共5页]

1995年韩国人再次快速晋升压强系数，科技红利之有效研发投入再次大幅度晋升，同比增速高达96.82%。

1993年反而通过压强原则，重点进犯，科技红利之有效研发投入同比增加70.19%，稳固对日本人的抢先上风。

韩国人几近是不费吹灰之力就赢取了这场“韩日NAND FLASH战役”，这就是韩国人的“反周期投资”。

2009年第三季度，海力士扭亏为盈。

与日本东芝、NEC、冲电气(OKI)展开新型闪存FLASH方面的技术合作等。

2009年第一季度，海力士净亏损为1.19万亿韩元(9.33亿美金)。

由此，韩国人半导体财产链上游关头设备和电子化学品原质料初具范围。

这两家由台塑个人投资的DRAM厂，一共亏损2413.08亿元(73亿美金)。

2004年，海力士和意法半导体在无锡设立12寸晶圆厂，项目总投资20亿美金。

从科技红利思惟的角度，庞煖们看看韩国人又是如何通过进步压强系数，实现对日本人的逆袭。

这就是庞煖做为一个天朝人做半导体财产的最大上风，天然的故国上风，背靠着一个庞大非常的计谋市场纵深。

从法国STM(意法半导体)引进DSP芯片技术。

以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作干系，三星在DRAM以外，获得了大量芯片财产资本。

从英国ARM引进音视频措置芯片技术。

当时三星在韩国华城(Fab12、Fab16)、器兴(Fab14)和米国德州奥斯汀，共有4座NAND FLASH 12英寸晶圆厂，年产能450万片晶圆。

韩国半导体出口产值达25.33亿美金，期间增加113%。

到1998年，韩国人环球第一个开辟256M DRAM、128M SDRAM、128M FLASH。

1998-2010年的第三次DRAM天下大战-韩台半导体战役，韩国人完成了本身DRAM核心技术的“米国基因”转型为“独立自主基因”，终究实现了从半导体大国演变成半导体强国。

128M DRAM：3个月内，月产量由650万颗进步到1400万颗，增加了115%。

1986-1997年，第二次DRAM天下大战-日韩半导体战役发作。

反观韩国人，依托天朝大陆市场的计谋纵深，仰仗无锡海力士的投产，海力士仅仅一年时候就规复元气。

具有一个广漠的计谋市场纵深，意义是不凡的。

2、2、西安市每年向三星补助水、电、绿化、物流用度5亿元。

1992年韩国人64M DRAM略微抢先于日本人和米国人胜利研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

2009年第二季度，净亏损仅为580亿韩元(0.45亿美金)。

1、三星需求的130万平方米厂房，由西安市扶植并免费供应1500亩地盘。

即便天朝诸多企业溢价用巨额资金采办也是诸多困难。

2008年环球金融危急发作后，一年时候内，环球DRAM财产累计亏损超越125亿美金，苔弯省DRAM财产更是全线崩盘。