160 天然优势，背靠祖国[第2页/共5页]

2011年韩国三星与日本东芝在NAND FLASH范畴展开环球合作。

以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作干系，三星在DRAM以外，获得了大量芯片财产资本。

堕入1997年东南亚金融危急的韩国海力士(Hynix)，以3.8亿美金的代价，将TFT-LCD部分团体售给京东方，海力士就此专注于DRAM范畴，并获得贵重的资金和天朝市场。

2004年，海力士和意法半导体在无锡设立12寸晶圆厂，项目总投资20亿美金。

1992年，64M DRAM，韩国人略微抢先于日本人。

上世纪90年代，韩国当局主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美圆)的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和电子化学品质料供应链。

第四，财产链横向扩大，从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。

在这一期间，韩国人首要的胜利经历有：

这就是韩国人所谓的“反周期投资”。

三星第一块64K DRAM投放市场时是1984年，比日本人足足晚了40个月。

如同日韩半导体战役中，米国人放开米国海内市场给韩国人普通。挺进天朝大陆市场，韩国人具有了广漠的计谋纵深。

别的，在20亿美金总投资以外，无锡市当局还承担厂房扶植，无锡市当局一共出资3亿美圆扶植两座占地54万平方米，面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体利用。

早在1980年，日本东芝的藤尾增冈雇用4名工程师启动一个奥妙的项目以研发下一代存储芯片，实现存储大量数据，并且让用户能够买得起。藤尾增冈宣称：“庞煖们晓得只要晶体管在尺寸上降下来，那么芯片的本钱也将会降落。”很快推出了一款EEPROM的改进产品，影象单位由1个晶体管构成。在当时，通例的EEPROM每个影象单位需求2个晶体管，这个小小的分歧对代价带来了庞大的影响，日本人将这个芯片称为FLASH，这个名字也是因为芯片的超快擦除才气，FLASH芯片基于NAND技术，这一技术能够供应更高容量的存储，并且更轻易制造。1989年，东芝首款NAND FLASH上市。

从法国STM(意法半导体)引进DSP芯片技术。

2009年第三季度，海力士扭亏为盈。

2008年环球金融危急发作后，一年时候内，环球DRAM财产累计亏损超越125亿美金，苔弯省DRAM财产更是全线崩盘。

韩国成为环球半导体内存市场第四个霸主。

这一期间，韩国半导体产业产值超越225亿美金，期间增加437%。

但对峙财产链的横向扩大，这是成为半导体强国的必经之路。

1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降落到只要2650亿日元，降落幅度达80%，这就给韩国人反超的机遇。

1998-2010年的第三次DRAM天下大战-韩台半导体战役，韩国人完成了本身DRAM核心技术的“米国基因”转型为“独立自主基因”，终究实现了从半导体大国演变成半导体强国。