160 天然优势，背靠祖国[第4页/共5页]

米国人“扶韩抗日”，在米国人尽力搀扶下，特别是1985、1991年《美日半导体和谈》的签订，到1994年韩国人在64M、256M DRAM完成对日本人的从追逐到抢先。

颠末构和，三星终究挑选落户天朝西安，项目总投资300亿美金，分三期扶植。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即静态随机存取存储器，最为常见的体系内存。也是在计算机、手机等设备中最常见的根本芯片。

客观而言，财产链横向扩大对于天朝是很难复制的，因为西方列强底子不会对天朝输出半导体集成电路芯片的核心技术。

当时三星在韩国华城(Fab12、Fab16)、器兴(Fab14)和米国德州奥斯汀，共有4座NAND FLASH 12英寸晶圆厂，年产能450万片晶圆。

至此，韩国人全面崛起于日韩半导体战役，成为环球半导体产业大国。

1992年三星环球第一个胜利研制64M DRAM。64M DRAM，硅片直径为200-250mm，芯片面积为135mm2，集成度为140000000。

2008年环球金融危急发作后，一年时候内，环球DRAM财产累计亏损超越125亿美金，苔弯省DRAM财产更是全线崩盘。

韩国人几近是不费吹灰之力就赢取了这场“韩日NAND FLASH战役”，这就是韩国人的“反周期投资”。

2009年第三季度，海力士扭亏为盈。

采取的首要技术为超净技术和3.3V低电压化技术。

再次回顾韩国人崛起的汗青过程。

第三，财产链垂直一体化，加强上游设备和电子化学品原质料的国产化。

半导体出口产值从300万美金，增加到11亿美金以上。

这就是庞煖做为一个天朝人做半导体财产的最大上风，天然的故国上风，背靠着一个庞大非常的计谋市场纵深。

2、2、西安市每年向三星补助水、电、绿化、物流用度5亿元。

1996年，韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金，居天下第一。

华亚科技从2008年起持续亏损五年，累计亏损804.48亿元新台币(24.4亿美金)。

海力士拿着韩国利川工厂淘汰的8英寸晶圆设备，依托天朝资金、地盘、工人和天朝市场，用戋戋3亿美金撬动了一项20亿美金的投资。

上世纪90年代，韩国当局主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美圆)的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和电子化学品质料供应链。

但对峙财产链的横向扩大，这是成为半导体强国的必经之路。

天朝大陆市场这一广漠的计谋纵深，在2008年环球金融危急，使得韩国人仅仅一年时候就规复元气进而完整打倒苔弯人，在环球半导体存储器的把持职位一向持续至今。

1996-1997年持续两年保持高位压强系数状况。

韩国工贸部在汉城南部80千米的松炭和天安，设立两个产业园区，专门供应半导体设备厂商设厂。

4、4、西安市对所得税征收，前十年全免，后十年半额征收。同时西安市还承诺，将为项目修建高速公路和地铁等交通根本设施，总的补助金额保守估计在300亿元以上。