第一九六章 浸没式光刻技术[第1页/共2页]

193nm淹没式光刻技术不是刘言他们发明的，也不是星空公司本身发明的，早在2002年的时候淹没式光刻技术就帮忙冲破了65nm技术节点。

比及刘言说完，乐远笑着给他鼓掌，其别人也跟着鼓掌。

“不轻易啊，我本来觉得逆向45nm工艺要花很多时候，想不你们不但大大收缩了这个时候，并且还在此根本上有了冲破。”乐远赞叹道。

散了这个会以后，大师又各自回到本身的岗亭上开端了本身的研讨事情。

不过乐远却晓得这些机器人的缺点，他们有着无穷的精力能够去获得知识，但是他们永久都贫乏缔造才气，也就是举一反三的才气，这类举一反三不是简朴的举一反三。

这层绝缘体堵截了上方mos管泄电流的回路，使得芯片能够轻松抵当泄电流。

这是ibm公司在08年09年那两年开辟出的一种技术，现在这个时候段他们还没有开辟出来。

“这么成熟的193nm淹没式光刻技术，我只传闻过adm有！”

刘言谦善道，“公司给了这么多资本，我们用的是天下上最早进的仪器，身边另有最优良的科研人才，如果连逆向工程都搞不定的话，那又如何有脸面对乐总，面对全公司。幸亏我们也算没有丢人，有了一些冲破。”

不过阿谁时候没有这么多人，导师也只带了四个门生，讲堂上另有发问和互动，跟现在只是刘言一小我在说有些分歧。

乐远眼睛一亮，这但是不测之喜，看这模样，刘言他们果然是有掌控冲破到32nm工艺的。

以是说，他们这些机器人跟刘言他们这些人相辅相成，加在一起有着奥秘的加成。

而是你教了他们加法，他们永久都研讨不出来乘法。

比及前面刘言说这类技术能够在金属线间制造完整的真空状况的时候，乐远俄然有点恍然，不但名字不异，刘言他说的这类技术，就是ibm公司的air gap技术的雏形。

示企图中，显现着传统光刻和淹没式光刻的对比。

“而气隙技术，能够在32nm芯片的金属线间制造完整的真空状况，以减少互连层百分之三十到四十的寄生电容，详细的数字还要今后持续尝试才气得出来。”

“起首，我们要说一下超低k电介质，气隙技术，针对32nm节点的半导体制程节点生长蓝图中，必须采取超低k电介质来降落相邻金属线之间的寄生电容，特别是互连层上。”

乐远笑了笑，这是他之前没有想到的结果，现在看来也是不测之喜。

“而在193nm淹没式光刻技术的根本上，想冲要破到32nm，还是有了开端的能够性，我们只需求晋升光刻设备便可。”

他们能够敏捷熟谙法则，应用法则，却没法突破法则，创建法则。

星空科技总公司的研发部里，研发部统统的职员都参加了，刘言站在一个临时搭建的讲台上冲动地说道。

当气隙技术四个字刚从刘言最内里说出来的时候，乐远就是一愣，这个称呼他有印象，只不过是上一世听过的。

刘言他们走了一条跟ibm一样的路，起码在超低k电介质方面是完整一样的。

“按照瑞利衍射道理，我们能够算出193nm淹没式光刻机的辩白率，从成果能够看得出来，淹没式光刻的特性尺寸缩小为传统光刻的n分之一，相称于有效暴光波长缩小为本来的n分之一。”