158 日韩半导体战争[第4页/共4页]

三十年会聚一朝抖擞，到1986年日本人占有环球DRAM存储器芯片市场80%份额，成为当时环球半导体财产的新霸主。

美日两国半导体财产长达50年相爱相杀，恩仇情仇，就此烟消云散。

1978年日本人发明64k DRAM，其问世标记取超大范围集成电路(VLSI)期间的到临，硅片直径为100-125mm，芯片面积为26.6mm2，集成度为155000。首要技术为循环位线、折叠数据线。

但是，微不敷道也能够进献本身的一份力量。

日本DRAM和半导体产业产值在环球市场占有率中的生长趋势：官产学三位一体、举国体制的国度力量、财产链上游延长。

纵观米国半导体产业70年的生长汗青，独立自主的完整的半导体产业体系和完美的人才培养体系，才是大国、强国的生长之根本。独立自主的完整的半导体产业体系，就像武侠小说中教员傅的深厚内功，有了深厚内功，学甚么都会很快。

就像武侠小说中，再深厚的内功，也需求根骨奇佳的门徒呀。

日本人向米国粹习，在米国人的搀扶下开端建立本身完整的半导体产业体系，并构成了本身国度在科技冲破上的研发体系。

1975年日本人以通产省为中间的“来世代电子计算机用VLSI研讨开辟打算”构思，设立了官民共同参与的“超大范围集成电路(VLSI)研讨开辟政策委员会”。

2012年7月镁光科技以25亿美圆的超低代价收买日本尔必达，随后，镁光市值从60亿美圆暴增至360亿美圆，成为尔必达停业的最大受益者。这闭幕了米国人和日本人之间长达50年的恩仇情仇，美日半导体战役画上终究句号。

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但是。日本就以此为目标，建立了超大范围集成电路(VLSI)的技术演进途径，而当时环球支流仍处于MOS晶体管技术线路中。

1960年日本人胜利研制了第一块晶体管集成电路；1963年研制MOS型晶体管。特别是1962年米国人对日本人开放当时环球半导体产业最早进的平面制造工艺技术，使得日本人几近一夜之间就获得集成电路的出产制造技术。

1980年日本人发明256k DRAM，硅片直径为125-150mm，芯片面积为34.8mm2，集成度为555000，首要技术为三层多晶硅和冗余技术。

米国人开端在微措置器CPU、逻辑、摹拟芯片等发力并稳固环球核心合作力，使得米国人占有了环球半导体产业产值的半壁江山。

这为前期美日半导体战役中，以个人军作战的体例在256K DRAM的决定性战役中一举打倒米国50家半导体联盟的战役中立下赫赫军功。